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UF3SC120040B7S

Name: onsemi UF3SC120040B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120040B7S
Price: 27.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

431-UF3SC120040B7S

N° de fab. :

UF3SC120040B7S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO263-7

Fiche technique:

UF3SC120040B7S Fiche technique

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	47 A
Rds On - Résistance drain-source:	35 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	214 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	7 ns, 8 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC FETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	12 ns, 13 ns
Série:	UF3SC
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type:	SiC FET
Délai de désactivation type:	47 ns
Délai d'activation standard:	37 ns
Poids de l''unité:	4,675 g

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UF3SC120040B7S Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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