QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Vgs th - Tension de seuil grille-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie
Qorvo FET GaN DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN 52En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo FET GaN DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 244En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo FET GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 100En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo FET GaN 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB 131En stock
700Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W