IGBT TRENCHSTOP™ 5

Les IGBT TRENCHSTOP™5 Infineon sont la prochaine génération d'IGBT à couche mince (transistor bipolaire à porte isolée) et offrent des pertes conduction et de commutation considérablement réduites par rapport aux solutions leaders du marché. Aucun IGBT du marché n'égale les performances du TRENCHSTOP™5. Ces IGBT sont conçus pour les applications où la fréquence de commutation dépasse >10 kHz. L'épaisseur de couche a été réduite de plus de 25 %, ce qui permet une amélioration exceptionnelle en termes de pertes de commutation et conduction, tout en offrant une tension de perçage de 650 V. Ce pas de géant en termes d'efficacité permet de repousser les limites auxquelles les concepteurs étaient exposés auparavant.
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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Package/Boîte Style de montage Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Tension de l'émetteur de porte max. Courant collecteur continu de 25 C Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 244En stock
96005/03/2026 attendu
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 80En stock
7 960Sur commande
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY 314En stock
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 275 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 5En stock
2 88009/04/2026 attendu
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 568En stock
96002/03/2026 attendu
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY 340En stock
72002/03/2026 attendu
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 90 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 288En stock
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Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS 697En stock
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Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
2 102Sur commande
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.05 V - 20 V, 20 V 85 A 227 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
760Sur commande
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 120 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
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- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
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Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY Délai de livraison produit non stocké 19 Semaines
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- 20 V, 20 V Trenchstop IGBT5 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
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Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube