MOSFET de puissance StrongIRFET™ de 100 V à 150 V

Les MOSFET de puissance 100 V à 150 V StrongIRFET™ d' Infineon Technologies sont optimisés pour une capacité à faible résistance à l'état passant (RDS(on)) et de courant élevé. Ces dispositifs offrent un RDS(on) aussi bas que 1,3 mΩ à 100 V et une capacité de traitement du courant aussi élevée que 209 A à 100 V. Ces caractéristiques se traduisent par une réduction des pertes de conduction et une augmentation de la densité de puissance tout en permettant toujours l'intégration des conceptions héritées. Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ sont idéaux pour les applications à basse fréquence nécessitant performance et robustesse. Le portefeuille complet couvre un large éventail d'applications, notamment les moteurs CC, les systèmes de gestion de batterie, les onduleurs et les convertisseurs CC-CC.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 1 327En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 2 556En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 4 251En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2 864En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 895En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC 3 059En stock
2 800Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 412En stock
3 200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
6 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
75424/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
38023/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube