Modules MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ Trench

Les modules MOSFET à tranchée EasyPACK™ CoolSiC™ d'Infineon Technologies sont dotés de la technologie de contact PressFIT et d'un capteur de température à coefficient de température négatif (NTC) intégré. Ces modules fonctionnent à une tension drain-source de 1 200 V présentent une conception à faible inductance, affichent de faibles pertes de commutation et possèdent une densité de courant élevée. Les modules EasyPACK™ sont dotés d’un montage robuste grâce aux pinces de montage intégrées et sont conditionnés avec un CTI > 600. Les applications typiques incluent les dispositifs de commutation haute fréquence, les convertisseurs CC/CC et les chargeurs CC pour véhicules électriques.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Conditionnement
Infineon Technologies Modules MOSFET EASY
Fiche technique
15En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EASY
Fiche technique
18En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EASY
Fiche technique
28En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 C 4.35 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EASY
Fiche technique
14En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit 1.2 kV 100 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EASY
Fiche technique
6En stock
1520/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit 1.2 kV 95 A 16.8 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EASY
Fiche technique
30Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit 1.2 kV 60 A 25.2 mOhms - 10 V, + 25 V 4.3 V - 40 C + 175 C 20 mW Tray