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Infineon Technologies Modules MOSFET CoolSiC EasyPACK™ série C

Les modules MOSFET CoolSiC EasyPACK™ série C d'Infineon Technologies associent des MOSFET trench CoolSiC de deuxième génération à la plateforme EasyPACK™ série C à faible inductance et à la technologie d'interconnexion .XT. Ces modules d'Infineon Technologies se caractérisent par des pertes de commutation ultra-faibles, un contrôle renforcé des éléments parasites et une robustesse accrue lors des cycles de puissance. Des broches PressFIT robustes, une mesure de température NTC intégrée, des brides de fixation intégrées et une isolation à CTI élevé simplifient l'assemblage et sont adaptés aux conditions de fonctionnement les plus exigeantes. Disponibles en topologies à quatre modules (F4) et à trois niveaux (F3), les modules de la série sont proposés en classes de résistance de 8 mΩ et 13 mΩ, ce qui permet d'augmenter la fréquence de commutation, de réduire la taille des composants magnétiques et d'accroître la densité de puissance, tout en maintenant les performances CEM et la marge thermique.

Caractéristiques

  • Technologie MOSFET CoolSiC M2 trench 1200 V avec pertes de conduction et de commutation réduites
  • Architecture de module EasyPACK série C à faible inductance, réduisant les surtensions, les oscillations parasites et les émissions CEM
  • Rendement accru et marge en fréquence étendue : EON/EOFF faibles et faible inductance parasite pour des transitoires plus propres et des composants magnétiques plus compacts, sans dégradation des performances
  • Durée de vie garantie dès la conception : la technologie d'interconnexion .XT renforce la robustesse mécanique et thermique, améliorant la tenue aux cycles de puissance et élargissant la plage de température de fonctionnement
  • Classes de résistance de 8 mΩ et 13 mΩ
  • Large zone de fonctionnement sûre et qualification de niveau industriel
  • Fonctionnement prévisible et protection fiable : les améliorations de l'oxyde de grille CoolSiC Gen2 et la mesure de température NTC intégrée assurent un comportement stable sur toute la plage de température
  • Assemblage sans soudure répétable : les bornes PressFIT et les brides de fixation intégrées accélèrent la production et améliorent la fiabilité mécanique
  • Plateforme évolutive : empreinte EasyPACK™ 2C cohérente et philosophie de broches commune aux variantes à quatre modules et à trois niveaux, simplifiant la réutilisation des conceptions de carte et les mises à niveau
  • Isolation à CTI élevé avec distances de fuite et d'isolement optimisées pour les applications 1200 V

Applications

  • Recharge rapide CC pour véhicules électriques et chargeurs CC industriels (étages PFC et CC/CC)
  • Convertisseurs CC/CC haute fréquence isolés et non isolés (LLC, PSFB et similaires)
  • Onduleurs string pour le solaire et le stockage d'énergie (ESS), et étages à trois niveaux de type NPC/T
  • Alimentations sans interruption (ASI) et alimentations industrielles hautes performances
  • Variateurs industriels et convertisseurs auxiliaires de traction

Ressources

Modules MOSFet associés

Infineon Technologies Modules MOSFET EasyPACK™ CoolSiC™ Trench

Technologie de contact PressFIT et capteur de température NTC intégré.

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Infineon Technologies Modules CoolSiC™ 1200 V

Ils sont dotés d'une haute densité de courant et d'une configuration à basse inductance avec une technologie de contact PressFIT et NTC.

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Numéro de pièce Fiche technique If - Courant direct Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Délai d'activation standard Délai de désactivation type
F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 Fiche technique 50 A 95 A 16.8 mOhms 50.4 ns 63 ns
F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 Fiche technique 55 A 95 A 16.8 mOhms 50.4 ns 63 ns
F413MXTR12C1M2H11BPSA1 F413MXTR12C1M2H11BPSA1 Fiche technique 30 A 60 A 25.2 mOhms 24 ns 48 ns
F48MXTR12C2M2H11BPSA1 F48MXTR12C2M2H11BPSA1 Fiche technique 55 A 95 A 16.8 mOhms 47 ns 52.8 ns
F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 Fiche technique 55 A 100 A 16.8 mOhms 47 ns 46.1 ns
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 Fiche technique 30 A 60 A 25.2 mOhms 24 ns 39 ns
Publié le: 2026-04-17 | Mis à jour le: 2026-04-21