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TP65H050G4WS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4WS
Price: 9.11 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H050G4WS

N° de fab. :

TP65H050G4WS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L

Fiche technique:

TP65H050G4WS Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,11 €	9,11 €
	5,45 €	54,50 €
	4,64 €	464,00 €
	4,47 €	4 023,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	34 A
Rds On - Résistance drain-source:	60 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	24 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	119 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	10.9 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	11.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	900
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	88.3 ns
Délai d'activation standard:	49.2 ns

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Fiche technique

TP65H050G4WS Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET GaN de 650 V, 34 A

Les transistors FET GaN (nitrure de gallium) de 650 V 34 A de Renesas Electronics sont des dispositifs normalement désactivés utilisant la plateforme Gen IV de Renesas Electronics. Les FET combinent un HEMT GaN haute tension avec un MOSFET silicium basse tension. La plateforme SuperGaN Gen IV® utilise des technologies avancées d’épitaxie et de conception brevetées pour simplifier la fabrication tout en améliorant l’efficacité par rapport au silicium grâce à une charge de grille inférieure, une faible capacité de sortie, moins de perte et une charge de récupération inverse réduite. Les transistors FET GaN présentent des performances intrinsèquement supérieures aux transistors FET en silicium traditionnels, offrant une commutation plus rapide et de meilleures performances thermiques.