40V TrenchT4 Power MOSFETs

IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs are easy-to-mount N-Channel enhancement MOSFETs housed in international standard packages. The series offers high current handling capability and 175°C maximum operating temperature. These avalanche-rated MOSFETs feature low RDS(on) and a fast intrinsic rectifier. Typical applications for IXYS 40V TrenchT4 Power MOSFETs include synchronous buck converters, high current switching power supplies, battery-powered electric motors, resonant-mode power supplies, DC-DC converters, offline uninterruptible power supplies (UPS), primary-side switches, and much more.

Résultats: 9
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.2 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 140 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 40 V 230 A 2.9 mOhms - 15 V, 15 V 2 V - 55 C + 175 C 340 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.4 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 182 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 40V/440A TrenchT4 Power MOSFET
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 40 V 440 A 1.25 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 480 nC - 55 C + 175 C 940 W Enhancement HiPerFET Tube