MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V

Central Semiconductor 1700V N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications. These MOSFETs feature a gate-source voltage (VGS) rating of 20V and a continuous drain current (ID) of 37A (CDMS24720-170) or 26A (CDMS24740-170). Both devices have a 28W power dissipation (PD) rating and are packaged in a TO-247 with an operating temperature range of -55°C to 175°C. These Central Semiconductor 1700V SiC MOSFETs support higher breakdown voltage and better thermal conductivity.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Central Semiconductor SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
Central Semiconductor SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 37 A 20 V 2.6 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion