Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Types de Semi-conducteurs
Modifier la vue par catégorie
Résultats: 51
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
4 005En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
86En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 379En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
480En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM
Fiche technique
514En stock
Min. : 1
Mult. : 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Fiche technique
755En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Fiche technique
551En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
480En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
310En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
Fiche technique
215En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Fiche technique
885En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Fiche technique
736En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Fiche technique
782En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Fiche technique
1 775En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
900En stock
80002/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
135En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
134En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
Fiche technique
131En stock
10023/03/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Fiche technique
496En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Fiche technique
1 669En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
2 319En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
Fiche technique
1 945En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
157En stock
2 88011/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
202En stock
Min. : 1
Mult. : 1