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SCT018W65G3-4AG

Name: STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT018W65G3-4AG
Price: 13.67 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SCT018W65G3-4AG

N° de fab. :

SCT018W65G3-4AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

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	10,58 €	105,80 €
	10,23 €	1 023,00 €
	9,97 €	5 982,00 €
	9,14 €	10 968,00 €
3 000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	HiP-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	55 A
Rds On - Résistance drain-source:	27 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	77 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 200 C
Pd - Dissipation d’énergie :	398 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	29 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	13 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	64 ns
Délai d'activation standard:	24.5 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.

MOSFET de puissance 650 V SCTWA90N65G2Vx

Les MOSFET de puissance 650 V SCTWA90N65G2Vx STMicroelectronics sont des MOSFET au carbure de silicium (SiC) avec des valeurs nominales de 18 mΩ et 119 A. Ces MOSFET de puissance sont fournis en boîtiers HiP247 et HiP247-4. Les MOSFET de puissance 650 V SCTWA90N65G2Vx disposent d'une charge de grille et de capacités d'entrée extrêmement faibles, de performances de commutation à haute vitesse et d'une broche de détection de source pour un rendement accru. Ces MOSFET sont développés à partir de la technologie avancée et innovante de MOSFET SiC de 2^ème génération de ST. Les Applications comprennent l'alimentation pour les systèmes d'énergie renouvelable, les convertisseurs CC-CC haute fréquence, les stations de charge, l'alimentation en mode commutation, les convertisseurs CC-CC et la commande de moteur industriel.

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.