Transistors de puissance RF au GaN QPD0020

Les transistors de puissance RF QPD0020 de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d'électrons (HEMT), 35 W, au nitrure de gallium (GaN), non appariés, fonctionnant entre le CC et 6 GHz à partir d'un rail de tension d'alimentation de +48 V. Ces composants sont adaptés aux applications de type station de base, radar et équipement de télécommunications. Ces transistors peuvent fonctionner mode onde entretenue (CW) et en mode pulsé. Le QPD0020 peut être utilisé dans un montage de Doherty pour réaliser l'étage final de l'amplificateur de puissance d'une station de base d'un système pour petite cellule, pour microcellule ou d'un système à antenne active. Le QPD0020 peut aussi servir à réaliser l'étage d'attaque de l'amplificateur de puissance d'une station de base pour macrocellule.

Types de Semi-conducteurs

Modifier la vue par catégorie
Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS
Qorvo Transistors bipolaires RF DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor 100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 100

Qorvo FET GaN DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500
Bobine: 500