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NVBG025N065SC1

Name: onsemi NVBG025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG025N065SC1
Price: 22.4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVBG025N065SC1

N° de fab. :

NVBG025N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

Fiche technique:

NVBG025N065SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	22,40 €	22,40 €
	17,61 €	176,10 €
	17,59 €	1 759,00 €
	17,34 €	8 670,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	16,76 €	13 408,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	106 A
Rds On - Résistance drain-source:	28.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	164 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	395 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	19 ns
Série:	NVBG025N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	17 ns

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Fiche technique

NVBG025N065SC1 Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG025N065SC1

Les MOSFET onsemi NVBG025N065SC1 au carbure de silicium (SiC) fournissent des performances supérieures de commutation et une fiabilité supérieure à celles de ceux au silicium simple. L'onsemi NVBG025N065SC1 présente une basse résistance à l'état passant (ON) et une taille compacte de puce, ce qui garantit de bassescapacité et charge de grille. Les systèmes présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.