Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NVHL045N065SC1

Name: onsemi NVHL045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL045N065SC1
Price: 15.39 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NVHL045N065SC1

N° de fab. :

NVHL045N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Fiche technique:

NVHL045N065SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVHL045N065SC1

En stock: 398

Stock:: 398 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 13 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	15,39 €	15,39 €
	10,86 €	108,60 €
	10,04 €	1 204,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	66 A
Rds On - Résistance drain-source:	32 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	291 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	30 ns
Série:	NVHL045N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	14 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVHL045N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL045N065SC1

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL045N065SC1 d'onsemi disposent de la technologie EliteSiC et offrent des performances de commutation supérieures. Le NVHL045N065SC1 d'onsemi dispose d’une fiabilité accrue par rapport aux MOSFET au silicium traditionnels. La faible résistance à l’état passant des MOSFET et la taille compacte de puce se traduisent par une capacité et une charge de grille faibles, contribuant à un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des interférences électromagnétiques (EMI) et une taille de système plus compacte. Ces MOSFET offrent une technologie avancée pour les applications électroniques de puissance améliorées.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.