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IGOT65R055D2AUMA1

Name: Infineon IGOT65R055D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGOT65R055D2AUMA
Price: 5.93 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IGOT65R055D2AUMA

N° de fab. :

IGOT65R055D2AUMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

FET GaN HV GAN DISCRETES

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IGOT65R055D2AUMA1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,93 €	5,93 €
	4,34 €	43,40 €
	3,51 €	351,00 €
	3,12 €	1 560,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	2,67 €	2 136,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	HEMT
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Rds On - Résistance drain-source:	66 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.6 V
Qg - Charge de grille:	6.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Power Transistors
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	GaN Power Transistor

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Fiche technique

IGOT65R055D2AUMA1 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V

Les transistors de puissance CoolGaN ™ Gen 2 650 V Infineon Technologies intègre une technologie de transistor GaN (nitrure de gallium) hautement efficace pour la conversion d'énergie sur une plage de tension jusqu'à 650 V. Avec la technologie GaN d'Infineon, le concept d'e‑mode atteint la maturité avec des volumes élevés de production de bout en bout. Cette qualité pionnière garantit les normes les plus élevées et offre les performances les plus fiables. Les transistors de puissance CoolGaN™ Gen 2 650 V en mode d'amélioration améliorent l'efficacité du système et la densité de puissance avec une commutation ultra-rapide.

Transistors de puissance en mode E 600 V CoolGan™

Les transistors de puissance CoolGan™ 600 V e-mode (mode d'amélioration) d'Infineon Technologies permettent des topologies de demi-pont plus simples avec des vitesses de mise sous tension et de coupure rapides. Les transistors robustes et fiables sont disponibles dans des boîtiers CMS hautes performances pour exploiter pleinement les avantages du GaN. Les transistors présentent une haute efficacité, une haute densité de puissance, une capacité de fréquence de fontionnement supérieure et des EMI réduites. Les applications comprennent les SMPS de télécommunications / datacom / serveur, le chargement sans fil, les chargeurs et les adaptateurs.