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TGF2954

Name: Qorvo TGF2954
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2954
Price: 85.04 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-TGF2954

N° de fab. :

TGF2954

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm

Fiche technique:

TGF2954 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Die
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	32 V
Id - Courant continu de fuite:	1.7 A
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	34.5 W
Marque:	Qorvo
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Gain:	19.6 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	15 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	0 Hz
Alimentation en sortie:	27 W
Conditionnement:	Gel Pack
Type de produit:	GaN FETs
Série:	TGF2954
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN-on-SiC
Type de transistor:	GaN HEMT
Raccourcis pour l'article N°:	1112246

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5-0810-13

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Fiche technique

TGF2954 Fiche technique (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542319000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542330996
KRHTS:: 8532331000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

TGF2954 GaN on SiC HEMT

Qorvo TGF2954 Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High-Electron Mobility Transistor (HEMT) operates from DC to 12GHz and typically provides 44.5dBm of saturated output power (P_SAT) with a power gain of 19.6dB. This field-effect transistor (FET) can switch faster than silicon power transistors. This function, combined with its small footprint, provides more energy efficiency while creating more space for external components. Qorvo TGF2954 GaN on SiC Transistor is offered as a bare die, with chip dimensions of 1.01mm x 1.68mm x 0.10mm. It has a maximum power-added efficiency range of 71.5%, making it appropriate for high-efficiency applications. Typical applications include satellite, point-to-point, and military communications as well as marine radar, defense and aerospace, amplifiers, and broadband wireless.

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.