Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTHL022N120M3S

Name: onsemi NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL022N120M3S
Price: 14.93 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTHL022N120M3S

N° de fab. :

NTHL022N120M3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L

Fiche technique:

NTHL022N120M3S Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTHL022N120M3S

En stock: 252

Stock:: 252 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	14,93 €	14,93 €
	10,87 €	108,70 €
	10,60 €	1 060,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	68 A
Rds On - Résistance drain-source:	30 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.4 V
Qg - Charge de grille:	139 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	352 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Temps de descente:	14 ns
Transconductance directe - min.:	34 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	50 ns
Série:	NTHL022N120M3S
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	19 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTHL022N120M3S Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium EliteSiC NTHL022N120M3S

Le MOSFET au carbure de silicium EliteSiC NTHL022N120M3S d'onsemi est un dispositif planaire de 1 200 V, M3S, optimisé pour les applications à commutation rapide. La technologie planaire fonctionne de manière fiable avec un entraînement négatif de la tension de grille et des pics d'arrêt sur la grille. Le NTHL022N120M3S offre des performances optimales lorsqu'il est piloté par une commande de grille de 18 V (fonctionne également avec une commande de grille de 15 V). Disponible en boîtier TO-247-3L, le NTHL022N120M3S est idéal pour les applications industrielles, ASI/ESS, solaires et de chargeur EV.

MOSFET EliteSiC M3S

Les MOSFET EliteSiC M3S d’onsemi sont des solutions pour les applications de commutation haute fréquence qui utilisent des topologies à commutation dure. Les MOSFET M3S d’onsemi sont conçus pour optimiser les performances et l’efficacité. Le dispositif présente une réduction remarquable de ~40 % des pertes de commutation totales (Etot) par rapport aux homologues M1 de 1 200 V et 20 mΩ. Les MOSFET EliteSiC M3S sont parfaitement adaptés à diverses applications, notamment les systèmes d'alimentation solaire, les chargeurs embarqués et les stations de chargement de véhicules électriques (EV).

Solutions de stockage d'énergie

Les systèmes de stockage d'énergie (ESS) d'onsemi stockent l'électricité provenant de diverses sources d'énergie, comme le charbon, le nucléaire, l'éolien et le solaire, sous différentes formes, notamment les batteries (électrochimiques), l'air comprimé (mécanique) et le sel fondu (thermique). Cette solution se concentre sur les systèmes de stockage d’énergie par batterie connectés à des systèmes de convertisseurs solaires.