MOSFET à super-jonction CoolMOS™

Les transistors de puissance CoolMOS™ d'Infineon offrent tous les avantages d’un MOSFET à super-jonction à commutation rapide. Associé à la génération CoolMOS 7, l'Infineon continue de fixer des références de prix, de performances et de qualité.

Résultats: 191
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
3 156En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Fiche technique
13 265En stock
5 00018/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 22.7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
9 180En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
4 161En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 24 nC - 50 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
4 801En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 029En stock
3 00011/06/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 784En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
7 565En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 40 C + 150 C 111 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
2 450En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 149 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Fiche technique
3 786En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.7 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
5 774En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
30 505En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 087En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
947En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
5 764En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
3 542En stock
2 00021/05/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 101 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 251 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
310En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 164 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
806En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
847En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
732En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 067En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Fiche technique
710En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 386 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
2 204En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Fiche technique
1 334En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube