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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 095En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms - 12 V, 12 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
1 497En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
3 542En stock
2 00021/05/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Fiche technique
25En stock
50016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Tube