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SCT4013DRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DRC15
Price: 29.89 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4013DRC15

N° de fab. :

SCT4013DRC15

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO247 750V 105A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4013DRC15 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	29,89 €	29,89 €
	22,94 €	229,40 €
	22,05 €	2 205,00 €
	22,03 €	9 913,50 €
900	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	105 A
Rds On - Résistance drain-source:	16.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	170 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	312 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Transconductance directe - min.:	32 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	32 ns
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	82 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT4013DR

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DR

Le MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) à canal N SCT4013DR de ROHM Semiconductor est un dispositif hautes performances conçu pour les applications d'électronique de puissance exigeantes. Doté d'une tension nominale drain-source de 750 V et d'un courant de drain continu de 105 A (à +25 °C), ce dispositif délivre une efficacité et des performances thermiques exceptionnelles. La faible résistance à l'état passant de 13 mΩ (standard) et les fonctionnalités de commutation rapide rendent le SCT4013DR de ROHM idéal pour les applications haute fréquence tels que les alimentations électriques, les convertisseurs et les entraînements à moteur. Le SCT4013DR bénéficie également des avantages inhérents à la technologie SiC, notamment une tension de rupture élevée, de faibles pertes de commutation et une conductivité thermique supérieure, qui contribuent à réduire la taille du système et à améliorer la fiabilité. Hébergé dans un boîtier TO-247-4L, le MOSFET prend en charge une gestion thermique robuste et une intégration facile dans les conceptions existantes.

MOSFET SiC à canal N de 750 V

Les MOSFET SiC à canal N de 750 V de ROHM Semiconductor peuvent augmenter la fréquence de commutation, réduisant ainsi le volume des condensateurs, des réacteurs et des autres composants requis. Ces MOSFET SiC sont disponibles dans des boîtiers TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA et TO-247-4L. Ces dispositifs ont une classe de résistance à l'état passant [R_DS(on)] drain-source statique (std.) de 13 à 65 mΩ et un courant permanent de drain (I_D) et de source (I_S) (T_C=25 °C) de 22 à 120 A. Ces MOSFET SiC 750 V de ROHM Semiconductor offrent des tensions de tenue élevées, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, en tirant parti des attributs uniques de la technologie SiC.