MOSFET à canal N (D-S) SI78

Les MOSFET à canal N (DS) SI78 de Vishay semiconducteurs sont disponibles dans un nouveau boîtier PowerPAK® à faible résistance thermique avec un profil 1,07 mm bas. Ces MOSFET N-Channel (DS) sont MLI optimisés, 100 % testés Rg, sans halogène et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET SI78 sont utilisés dans les convertisseurs CC-CC, les commutateurs côté primaire pour les applications CC-CC et les redresseurs synchrones.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Vishay Semiconductors MOSFET 20V 40A 83W
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 20 V 40 A 2.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 98 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 20 V 40 A 2.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 98 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V 25A 1.9W
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si TrenchFET Reel