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QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 1288 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-QPD1006

N° de fab. :

QPD1006

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

Fiche technique:

QPD1006 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	NI-50CW
Polarité du transistor:	N-Channel
Id - Courant continu de fuite:	14 A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	445 W
Marque:	Qorvo
Configuration:	Single
Kit de développement:	QPD1006EVB3
Gain:	17.8 dB
Tension drain-porte max.:	145 V
Fréquence de fonctionnement max.:	1.4 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1.2 GHz
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	450 W
Conditionnement:	Waffle
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1006
Nombre de pièces de l'usine:	36
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT

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Fiche technique

QPD1006 Fiche technique (PDF)

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Transistor IMFET RF au GaN QPD1006

Le transistor FET adapté en interne (IMFET) RF au GaN QPD1006 de Qorvo est un transistor SiC à haute mobilité d'électrons (HEMT) au GaN 450 W. Le transistor QPD1006 fonctionne sur une plage de fréquence 1,2 GHz à 1,4 GHz et un rail d'alimentation 50 V. Ce dispositif peut prendre en charge un fonctionnement pulsé et à onde continue (CW). Le transistor QPD1006 de Qorvo est entièrement adapté au IMFET GaNΩ dans un boîtier à cavité d'air aux normes de l'industrie. Ce transistor IMFET est idéal pour les radars militaires et civils.