MOSFET à tranchée SiC de 3e génération SCT3x

Les MOSFET à tranchée SiC série SCT3x de ROHM Semiconductor utilisent une structure exclusive de grille en tranchée qui réduit la résistance de 50 % et la capacité d’entrée de 35 % par rapport aux MOSFET SiC de type planaire. Cette conception se traduit par une perte de commutation considérablement plus faible et des vitesses de commutation plus rapides, améliorant ainsi l’efficacité opérationnelle tout en réduisant la perte de puissance dans une variété d’équipements. Le SCT3x de ROHM Semiconductor comprend les variantes 650 V et 1 200 V pour une large applicabilité.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Fiche technique
5En stock
45012/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Fiche technique
92En stock
45020/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Fiche technique
24En stock
1 350Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Fiche technique
1 197Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
45023/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 450
Mult. : 450

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101