MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible RDS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
118En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Fiche technique
395En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Fiche technique
677En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS PQFN88 650V
Fiche technique
5 875En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Fiche technique
800En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Fiche technique
1 555En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Fiche technique
750En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
Fiche technique
398En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 32 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
Fiche technique
366En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
874En stock
Min. : 1
Mult. : 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
384En stock
Min. : 1
Mult. : 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V
Fiche technique
1 374En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

SMD/SMT PSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
212En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MOHM 900V
Fiche technique
370En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET 20MOHM 900V
Fiche technique
348En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
36En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Fiche technique
444En stock
Min. : 1
Mult. : 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Fiche technique
68En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
Fiche technique
457En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Fiche technique
14En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V
Fiche technique
1 800Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 450
Mult. : 450

TO-247-4 EliteSiC