FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8

Les FET GaN 100 V GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 de Nexperia sont des dispositifs e-mode normalement éteints à usage général qui offrent des performances supérieures et une très faible résistance à l'état passant.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nexperia FET GaN GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Fiche technique
1 951En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT VQFN-7 P-Channel 1 Channel 100 V 100 A 1.8 mOhms 6 V 2.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE2R7-100CBA/SOT8089/WLCSP22
Fiche technique
1 334En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

SMD/SMT WLCSP-22 P-Channel 1 Channel 100 V 64 A 2.7 mOhms 5.5 V 2.5 V 13 nC - 40 C + 150 C 470 W Enhancement
Nexperia FET GaN GANE7R0-100CBA/SOT8090/WLCSP6
Fiche technique
1 062En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

SMD/SMT VQFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 29 A 7 mOhms 6 V 2.5 V 4.5 nC - 40 C + 150 C 182 W Enhancement