600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.

Résultats: 10
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET 508En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 2 682En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 589En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 390En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package 490En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 126En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package Délai de livraison 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube