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CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 1069.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-CGHV35400F1

N° de fab. :

CGHV35400F1

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Fiche technique:

CGHV35400F1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440225
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	125 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Marque:	MACOM
Gain:	11 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3.5 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	2.9 GHz
Alimentation en sortie:	400 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V

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Fiche technique

CGHV35400F1 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

HEMT GaN adapté E/S 50 Ω 400 W CGHV35400F

Le HEMT GaN adapté E/S 50 Ω, 2,9 GHz à 3,5 GHz 400 W CGHV35400F de Wolfspeed pour les applications d'amplificateur radar de bande S offrent un haut rendement, un gain élevé et de vastes capacités de largeur de bande. Le transistor CGHV35400F est adapté à 50 Ω en entrée et 50 ohms en sortie.