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IXSA40N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA40N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA40N120L2-7TR
Price: 7.08 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXSA40N120L2-7TR

N° de fab. :

IXSA40N120L2-7TR

Fab. :

IXYS

Description :

SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IXSA40N120L2-7TR Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7L
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	41 A
Rds On - Résistance drain-source:	104 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	53 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	9.5 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	MOSFETs
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14.4 ns
Série:	IXSA40N120L2-7
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET
Délai de désactivation type:	11.5 ns
Délai d'activation standard:	5.6 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET is an industrial-grade, single-switch SiC MOSFET exhibiting good power cycling characteristics and very fast, low-loss switching behavior. This MOSFET is recommended for use in high-speed industrial switch mode power supplies. The IXSA40N120L2-7 MOSFET features low conduction losses, low gate drive power requirements, and low thermal management effort and is optimized for gate control. This SiC MOSFET is ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, UPS, motor drives, DC/DC converters, EV charging infrastructure, and induction heating.