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NTHL025N065SC1

Name: onsemi NTHL025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL025N065SC1
Price: 13.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTHL025N065SC1

N° de fab. :

NTHL025N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

Fiche technique:

NTHL025N065SC1 Fiche technique

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	13,30 €	13,30 €
	11,06 €	110,60 €
	10,79 €	1 079,00 €
	10,45 €	4 702,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	99 A
Rds On - Résistance drain-source:	28.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	164 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	348 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	51 ns
Série:	NTHL025N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	18 ns

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Fiche technique

NTHL025N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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Les MOSFETs 650 V au carbure de silicium (SiC) d'onsemi offrent des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium (Si). Ces MOSFET SiC 650 V ont une faible résistance à l'état passant et une taille de puce compacte pour garantir une faible capacité et une faible charge de grille. Ils présentent les avantages suivants : rendement élevé, fréquence de fonctionnement rapide, densité de puissance accrue, réduction des EMI et réduction de la taille du système.

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

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