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NTBG023N065M3S

Name: onsemi NTBG023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG023N065M3S
Price: 10.52 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTBG023N065M3S

N° de fab. :

NTBG023N065M3S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

NTBG023N065M3S Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	69 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	263 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.6 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	15 ns
Série:	NTBG023N065M3S
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

NTBG023N065M3S Fiche technique

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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