FET SiC UF3C en boîtier D2-PAK

Les SiC FET UF3C de Qorvo en boîtiers D2-PAK-3L et D2-PAK-7L à montage en surface sont basés sur une configuration de circuit « cascode » unique et disposent d’une excellente récupération inverse. Dans la configuration de circuit cascode, un JFET SiC normalement activé est co-emballé avec un MOSFET Si pour produire un dispositif SiC FET normalement éteint. Ces FET SiC offrent une diode à faible corps, une faible charge de grille et une tension de seuil de 4,8 V qui permet de piloter de 0 V à 15 V. Ces composants SiC FET D2-PAK sont protégés contre les DES et fournissent une ligne de fuite du boîtier et une distance de dégagement de >6,1 mm. Les caractéristiques standard du pilote de grille du FET sont des remplacements directs pour les IGBT Si, le FET Si, les MOSFET SiC ou la super-jonction Si. Ils sont disponibles pour des variantes de tension de claquage drain-source de 1 200 V et 650 V et sont idéaux pour une utilisation pour les environnements contrôlés tels que l’alimentation des télécommunications et des serveurs, les alimentations industrielles, les entraînements de moteurs et le chauffage par induction.