MOSFET de puissance automobile au carbure de silicium série E

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de qualité automobile et de série E de Wolfspeed sont des MOSFET homologués pour l’automobile, à compatibilité PPAP, à mode d’amélioration du canal N et résistants à l’humidité. Ces composants donnent de faibles pertes de commutation et un facteur de mérite élevé. Ils sont optimisés pour servir dans des entraînements de moteurs de CVC de VE, dans des chargeurs embarqués de VE et dans des convertisseurs CC-CC sous hautes tensions.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 53 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 97.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement