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SCT4013DW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4013DW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4013DW7TL
Price: 23.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-SCT4013DW7TL

N° de fab. :

SCT4013DW7TL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

SiC MOSFET TO263 750V 98A N-CH SIC

Fiche technique:

SCT4013DW7TL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	23,99 €	23,99 €
	19,75 €	197,50 €
	19,43 €	1 943,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	19,26 €	19 260,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	98 A
Rds On - Résistance drain-source:	16.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	170 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	267 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	ROHM Semiconductor
Conformité:	Done
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Transconductance directe - min.:	32 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Produit:	MOSFET's
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	32 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	82 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Raccourcis pour l'article N°:	SCT4013DW7

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DW7

Le MOSFET de puissance SiC à canal N SCT4013DW7 de ROHM Semiconductor est un MOSFET à faible résistance à l'état passant de 750 V et 13 mΩ conçu pour une commutation rapide. Le SCT4013DW7 offre une récupération inverse rapide, est facile à mettre en parallèle et facile à piloter. Le SCT4013DW7 de ROHM est idéal pour les convertisseurs solaires, le chauffage à induction et les entraînements à moteur.

MOSFET SiC à canal N de 750 V

Les MOSFET SiC à canal N de 750 V de ROHM Semiconductor peuvent augmenter la fréquence de commutation, réduisant ainsi le volume des condensateurs, des réacteurs et des autres composants requis. Ces MOSFET SiC sont disponibles dans des boîtiers TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA et TO-247-4L. Ces dispositifs ont une classe de résistance à l'état passant [R_DS(on)] drain-source statique (std.) de 13 à 65 mΩ et un courant permanent de drain (I_D) et de source (I_S) (T_C=25 °C) de 22 à 120 A. Ces MOSFET SiC 750 V de ROHM Semiconductor offrent des tensions de tenue élevées, une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, en tirant parti des attributs uniques de la technologie SiC.

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.