Modules CoolSiC™ M1H 1200 V

Les modules M1H CoolSiC™ 1 200 V d’Infineon Technologies offrent des opportunités pour les concepteurs de systèmes de chargement pour véhicules électriques et autres convertisseurs pour atteindre des niveaux d’efficacité et de densité de puissance jamais atteints auparavant.

Types de Semiconducteurs discrets
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
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Technologie
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Package/Boîte

Infineon Technologies Modules MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
Fiche technique
36En stock
Min. : 1
Mult. : 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
Fiche technique
2En stock
1026/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Stud Mount
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Fiche technique
22En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Non
Discrete Semiconductor Modules Si


Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
Fiche technique
22En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets CoolSiC MOSFET sixpack module 1200 V
Fiche technique
1505/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
Fiche technique
113/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Discrete Semiconductor Modules Si
Infineon Technologies Modules MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFET Modules Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm