Modules CoolSiC™ M1H 1200 V

Les modules M1H CoolSiC™ 1 200 V d’Infineon Technologies offrent des opportunités pour les concepteurs de systèmes de chargement pour véhicules électriques et autres convertisseurs pour atteindre des niveaux d’efficacité et de densité de puissance jamais atteints auparavant.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Série Conditionnement
Infineon Technologies Modules MOSFET 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 25En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT - 40 C + 150 C M1H Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM 18En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 6 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW CoolSiC Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Press Fit N-Channel 1.2 kV 40 A - 10 V, 23 V 5.15 V 20 mW EasyPACK 2B Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V 60En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET EASY 7En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 16En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray

Infineon Technologies Modules MOSFET Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 36En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies Modules MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray