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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
700En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Fiche technique
693En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Fiche technique
5 410En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape