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CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 550.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

941-CGH09120F

N° de fab. :

CGH09120F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Fiche technique:

CGH09120F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	120 V
Id - Courant continu de fuite:	28 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	56 W
Marque:	MACOM
Configuration:	Single
Gain:	21 dB
Tension drain-porte max.:	28 V
Fréquence de fonctionnement max.:	2.5 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	300 MHz
Alimentation en sortie:	20 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	40
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V

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Fiche technique

CGH09120F Fiche technique (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.