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NT1819NAAE2S

Name: Nisshinbo Micro Devices NT1819NAAE2S
Brand: Nisshinbo
SKU: 848-NT1819NAAE2S
Price: 3.09 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

848-NT1819NAAE2S

N° de fab. :

NT1819NAAE2S

Fab. :

Nisshinbo

Description :

CI commutateurs RF Absorptive High Isolation SPDT Switch

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NT1819NAAE2S Fiche technique (PDF)

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	1,94 €	48,50 €
	1,69 €	169,00 €
	1,58 €	395,00 €
	1,38 €	690,00 €
	1,21 €	1 210,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nisshinbo Micro Devices
Catégorie du produit:	CI commutateurs RF
RoHS:
Configuration de l'interrupteur:	SPDT
Fréquence min.:	200 MHz
Fréquence max.:	7.125 GHz
Perte d'insertion:	1.2 dB
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 105 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-16
Série:	NT1819
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Nisshinbo
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Tension de haut contrôle:	1.35 V to 5 V
Nombre d'interrupteurs:	Single
Fréquence de fonctionnement:	200 MHz to 7.125 GHz
Pd - Dissipation d’énergie :	1.4 W
Type de produit:	RF Switch ICs
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Tension d’alimentation - Max.:	5 V
Tension d’alimentation - Min.:	2.5 V

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Fiche technique

NT1819NAAE2S Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

NT1819 High Isolation SPDT RF Switch

Nisshinbo NT1819 High Isolation SPDT RF Switch is suitable for 5G cellular infrastructure and other applications. This switch features high isolation characteristics between RF terminals and achieves 60dB isolation at 3.85GHz and 50dB isolation at 7.125GHz. It is available for various applications that require high isolation between circuits or devices.