MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1
Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) 1 200 V IXSJxN120R1 de Littelfuse sont des dispositifs haute performance conçus pour des applications de conversion d'énergie exigeantes. Les MOSFET IXSJxN120R1 de Littelfuse tirent parti des propriétés supérieures de la technologie SiC pour offrir de faibles pertes de commutation, une haute efficacité et une excellente performance thermique. Le IXSJ25N120R1 offre un RDS(on) standard de 80 mΩ et est optimisé pour des applications à faible courant, tandis que les IXSJ43N120R1 et IXSJ80N120R1 offrent des valeurs de résistance à l'état passant plus faibles, respectivement de 45 mΩ et 20 mΩ, prenant en charge des capacités de gestion de courant plus élevées. Les trois dispositifs se caractérisent par des vitesses de commutation rapides, une capacité d'avalanche robuste et une broche source Kelvin pour un contrôle amélioré de la commande de grille. Ces caractéristiques rendent la série IXSJxN120R1 idéale pour une utilisation dans les convertisseurs de véhicules électriques, les convertisseurs solaires, les entraînements à moteur industriels et les alimentations électriques à haute efficacité.
