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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

IXYS IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
Fiche technique
192En stock
27011/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 2.6 V 20 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C IXGH30N60 Tube

IXYS IGBTs 75Amps 1200V
Fiche technique
38En stock
30016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4.4 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube

IXYS IGBTs 75 Amps 600V 1.05 V Rds
Fiche technique
188En stock
30011/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube

IXYS IGBTs 72 Amps 600V 1.35 Rds
Fiche technique
247En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGH72N60 Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V IGBTs
Fiche technique
4En stock
30021/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V 20 V 22 A 100 W - 55 C + 150 C IXGP12N120 Tube
IXYS IGBTs TO220 600V 48A GENX3
Fiche technique
311En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.18 V - 20 V, 20 V 120 A 300 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBTs 20 Amps 1700 V 4 V Rds
Fiche technique
30En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 20 A 110 W - 55 C + 150 C IXGT10N170 Tube
IXYS IGBTs GenX3 600V IGBTs
Fiche technique
5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 V 1.35 V 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGT72N60 Tube

IXYS IGBTs TO247 600V 150A XPT
Fiche technique
133En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 300 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Planar Tube

IXYS IGBTs TO247 600V 30A XPT
Fiche technique
158En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Single - 20 V, 20 V Planar Tube

IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 30A
Fiche technique
146En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXXH30N60 Tube
IXYS IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Fiche technique
6En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs TO247 1700V 16A IGBT
Fiche technique
81En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 40 A 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Fiche technique
217En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C IXYH20N120 Tube
IXYS IGBTs 1200V XPT GenX3 IGBT
Fiche technique
240En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH30N120 Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Fiche technique
66En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 577 W - 55 C + 175 C IXYH40N120 Tube
IXYS IGBTs XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Fiche technique
108En stock
30016/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 90 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH40N90 Tube
IXYS IGBTs TO247 1200V 55A XPT
Fiche technique
67En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs GenX3 1200V XPT IGBT
Fiche technique
350En stock
25027/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 175 C IXYP30N120 Tube
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Fiche technique
265En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube

IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Fiche technique
110En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 310 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 7 Tube
IXYS IGBTs 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
Fiche technique
31En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBTs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Fiche technique
58En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 78 A 325 W - 40 C + 125 C IXA45IF1200HB Tube

IXYS IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
Fiche technique
59En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube
IXYS IGBTs 120 Amps 600V
Fiche technique
5En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 200 A 780 W - 55 C + 150 C IXGX120N60 Tube