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TP65H070G4RS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4RS-TR
Price: 6.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

227-TP65H070G4RS-TR

N° de fab. :

TP65H070G4RS-TR

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

TP65H070G4RS-TR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,85 €	6,85 €
	4,66 €	46,60 €
	3,59 €	359,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1300)
	3,06 €	3 978,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TOLT-16
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Qg - Charge de grille:	9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	96 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperGaN
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	7.2 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	6.2 ns
Série:	Gen IV SuperGaN
Nombre de pièces de l'usine:	1300
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	56 ns
Délai d'activation standard:	43.4 ns

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Fiche technique

TP65H070G4RS-TR Fiche technique

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CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V boîtier TOLT

Le FET Renesas Electronics TP65H070G4RS 650 V SuperGaN^® dans un boîtier TOLT présente une résistance à l’état passant RDS_(on)de 72 mΩ standard dans un boîtier TOLT à montage en surface refroidi par le haut qui répond à la norme JEDEC MO-332. Le boîtier TOLT offre une flexibilité de gestion thermique, en particulier dans les systèmes qui ne permettent pas l’utilisation de dispositifs de montage en surface conventionnels avec refroidissement sur la face inférieure. Le TP65H070G4RS est un dispositif normalement éteint qui combine les technologies MOSFET en silicium basse tension et HEMT GaN haute tension pour offrir une fiabilité et une performance supérieures. La plateforme Gen IV SuperGaN s'appuie sur des technologies de conception épitaxiales (epi) avancées et brevetées pour rationaliser la fabricabilité et améliorer l'efficacité par rapport au silicium. Elle y parvient en réduisant la charge de grille, la perte de croisement, la capacité de sortie et la charge de récupération inverse. Le FET SuperGaN de 650 V TOLT TP65H070G4RS de Renesas Electronics est idéal pour les applications datacom, industrielles, informatiques et autres.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.