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UF4SC120023B7S

Name: onsemi UF4SC120023B7S
Brand: onsemi
SKU: 772-UF4SC120023B7S
Price: 20.85 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-UF4SC120023B7S

N° de fab. :

UF4SC120023B7S

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO263-7

Fiche technique:

UF4SC120023B7S Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	20,85 €	20,85 €
	15,20 €	152,00 €
	15,19 €	1 519,00 €
	14,19 €	7 095,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	14,19 €	11 352,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	72 A
Rds On - Résistance drain-source:	23 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	6 V
Qg - Charge de grille:	37.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	385 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SiC FET
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC FET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	25 ns
Série:	UF4SC
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	64 ns
Délai d'activation standard:	23 ns

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Fiche technique

UF4SC120023B7S Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FETs en carbure de silicium (SiC) UF4SC120023B7S G4

Les FET en carbure de silicium (SiC) UF4SC120023B7S G4 d'Onsemi sont des dispositifs 1 200 V 23 mΩ basé sur une configuration de circuit unique de type cascode. Un JFET en SiC normalement activé est associé dans cette configuration à un MOSFET Si, ce qui produit un dispositif FET SiC normalement désactivé. Les caractéristiques de commande de grille standard du dispositif permettent l'utilisation de pilotes de commandes prêtes à l'emploi, ce qui nécessite une reconception minimale lors du remplacement d’IGBT Si, de dispositifs à super-jonction Si ou de MOSFET SiC. Disponibles dans un boîtier D2PAK-7L peu encombrant (permettant un assemblage automatisé), ces dispositifs présentent une charge de grille ultra-faible et des caractéristiques de récupération inverse exceptionnelles. Les FET SiC UF4SC120023B7S G4 d'Onsemi sont idéaux pour la commutation de charges inductives et les applications nécessitant une commande de grille standard.