High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Fiche technique
448En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Fiche technique
2 787En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Fiche technique
281En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Fiche technique
224En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Fiche technique
307En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
Fiche technique
334En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Fiche technique
277En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Fiche technique
127En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Fiche technique
8En stock
72011/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Fiche technique
1 27522/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Fiche technique
30001/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 34 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 57 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 57 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 57 Semaines
Min. : 300
Mult. : 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 80 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 25
Mult. : 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 57 Semaines
Min. : 300
Mult. : 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3