Les plus récent(e)s Transistors

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IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

IXYS MOSFET de puissance 200 V de classe X4 MMIX1T500N20X4

10/08/2025

- Le boîtier isolé à base de céramique améliore la Rth(j-s) globale ainsi que la capacité de traitement de puissance.

IXYS MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

09/19/2025

- Ces composants affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [RDS(ON)].

IXYS MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K

08/27/2025

- Tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ.

IXYS MOSFET de puissance IXFP34N65X2W

03/17/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET SiC IXSA80N120L2-7

03/06/2025

- Single-switch MOSFET that features 1200V, 30mΩ, 79A industrial-grade device in a TO263-7L package.

IXYS MOSFET de puissance IXFH34N65X2W

02/27/2025

- 650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET de puissance IXFH46N65X2W

02/27/2025

- 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.

IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV

02/18/2025

- 1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.

IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4

11/28/2024

- Offrent une tension nominale de 200 V, une plage de courant de 340 A à 500 A et un boîtier SOT-227B.

IXYS IGBT XPT Gen5

07/25/2024

- Offers a rated voltage of 650V, a current range of 35A to 220A, and a low gate charge.

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TDK-Lambda i1R ORing MOSFET Modules

02/05/2026

- High-efficiency and low-loss power devices designed to replace traditional diodes.

IXYS X4-Class Power MOSFETs

02/02/2026

- Offer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 80 V

12/23/2025

- Définit les performances de référence du secteur grâce à une large offre de portefeuille.

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

12/19/2025

- Conçus pour répondre aux exigences strictes des applications dédiées aux véhicules électriques (VE).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

Infineon Technologies Transistors discrets 750 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

12/01/2025

- Le boîtier DTO247 remplace plusieurs transistors à faible courant dans des boîtiers TO247 connectés en parallèle.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

11/24/2025

- Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11/20/2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

Central Semiconductor MOSFET à canal N en carbure de silicium (SiC) de 1 700 V

11/20/2025

- These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11/20/2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.

Diodes Incorporated MOSFET E-Mode à double canal N DMTH64M2LPDW

10/31/2025

- Intègre deux MOSFET dans un boîtier unique PowerDI ® de 5 mm x 6 mm avec d'excellentes performances thermiques.

Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor

10/31/2025

- The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.

Diodes Incorporated Transistors à effet de champ 2N7002 de type N en mode E

10/31/2025

- Offre des performances de commutation rapides avec une faible charge de grille et une tension drain-source maximale de 60 V.

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