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GP2T030A170H

Name: SemiQ GP2T030A170H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T030A170H
Price: 24.96 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

148-GP2T030A170H

N° de fab. :

GP2T030A170H

Fab. :

SemiQ

Description :

SiC MOSFET SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

GP2T030A170H Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	24,96 €	24,96 €
	20,86 €	208,60 €
	18,24 €	2 188,80 €
2 520	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	SemiQ
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.7 kV
Id - Courant continu de fuite:	83 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.7 V
Qg - Charge de grille:	233 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	564 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	SemiQ
Configuration:	Single
Temps de descente:	21 ns
Conditionnement:	Tube
Produit:	SiC MOSFETS
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	8 ns
Série:	GP2T
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	48 ns
Délai d'activation standard:	19 ns

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Fiche technique

GP2T030A170H Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET

SemiQ GP2T030A170 QSiC™ 1700V SiC MOSFET is engineered for medium-voltage high-power conversion applications, enabling more compact system designs at a large scale with lower system costs and higher power densities. This high-speed, switching planar D-MOSFET offers a reliable body diode that operates up to +175°C. The module is tested beyond 1900V and UIL avalanche tested to 600mJ. The series delivers low switching and conduction losses and low capacitance. The 1700V device also features a rugged gate oxide for long-term reliability and undergoes wafer-level burn-in (WLBI) to screen out potentially weak oxide devices. SemiQ GP2T030A170 QSiC 1700V SiC MOSFET is a four-pin TO-247-4L-packaged discrete with drain, source, driver source, and gate pins. Applications include solar inverters, electric vehicle (EV) charging stations, and motor drives.