MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K

Les MOSFET de puissance SiC 1 200 V IXSJxN120R1K d'IXYS présentent une tension de blocage pouvant atteindre 1 200 V avec une faible RDS(on) de 18 mΩ ou 36 mΩ. Ces MOSFET de puissance SiC d'IXYS offrent une faible charge de grille de 79 nC (IXSJ43N120R1K) ou 155 nC (IXS80N120R1K) et une faible capacité d'entrée de 2 453 pF (IXSJ43N120R1K) ou 4 556 pF (IXSJ80N120R1K). L'IXSJxN120R1K offre une plage de tension de grille flexible de 15 V à 18 V et une tension de grille de désactivation recommandée de 0 V. Les applications incluent les infrastructures de chargement des véhicules électriques (VE), les convertisseurs solaires, les alimentations électriques en mode commuté, les alimentations sans interruption, les entraînements à moteur, et plus encore.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in ISO247-4L
Fiche technique
390Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET in ISO247-4L
Fiche technique
400Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement