FET GAN de puissance GaN en boîtier CCPA1212 GAN039

Les FET GaN de puissance GAN039 en boîtier CCPAK1212 de Nexperia offrent une technologie de boîtier à pince en cuivre avec de faibles inductances, de faibles pertes de commutation et une haute fiabilité. Dépourvus de liaisons filaires pour des performances thermiques et électriques optimisées, ces dispositifs offrent une configuration en cascade pour éliminer le besoin de pilotes et de commandes complexes. Les FET GAN039 à montage en surface disposent d'un refroidissement par le haut (CCPAK1212i) ou par le bas traditionnel (CCPAK1212) pour améliorer la dissipation de la chaleur, offrant une flexibilité de conception accrue.  Les styles de boîtier CCPAK1212 et CCPAK1212i disposent d'une empreinte compacte. Les fils flexibles à aile de mouette offrent une fiabilité robuste au niveau de la carte pour les environnements à température extrême. Les applications typiques incluent les entraînements à moteur d'asservissement, les convertisseurs PV et ASI, les convertisseurs PFC totem pole sans pont et les convertisseurs à commutation progressive.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal
Nexperia FET GaN GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 536En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia FET GaN GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 694En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement