LSIC1MO120G0040

IXYS
576-LSIC1MO120G0040
LSIC1MO120G0040

Fab. :

Description :
SiC MOSFET TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Modèle de ECAO:
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En stock: 431

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Minimum : 1   Multiples : 1
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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17,25 € 172,50 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
IXYS
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
70 A
50 mOhms
- 5 V, + 20 V
4 V
175 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
Marque: IXYS
Configuration: Single
Temps de descente: 8 ns
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 9 ns
Série: LSIC1MO120G0xxx
Nombre de pièces de l'usine: 450
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: SiC
Délai de désactivation type: 22 ns
Délai d'activation standard: 13 ns
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET SiC à canal N LSIC1MO120G0x

Les MOSFET SiC à canal N LSIC1MO120G0x d’IXYS offrent une tension drain-source nominale de 1200 V, une plage de résistance de 25 m Ω Ω à 160 m et des courants allant de14 A à 70 A. Ces MOSFET sont optimisés pour les applications à haute fréquence et haut rendement et disposent d’une résistance à l’état passant ultra-faible, d’une faible résistance de grille et d’opérations normalement « off » à toutes les températures. Les MOSFET SiC à canal N LSIC1MO120G0x d'IXYS sont idéaux pour les onduleurs solaires, les alimentations à découpage, les commandes de moteurs, les chargeurs de batteries et plus encore.