MOSFET au SiC série M3S 1 200 V NTBG022N120M3S

Le MOSFET au SiC (carbure de silicium) de série M3S 1 200 V onsemi   NTBG022N120M3S est optimisé pour desapplications à commutation rapide et présente une faible résistance entre drain et source de 22 m Ω. Les MOSFET au SiC de série M3S présentent des performances optimales lorsqu'ils sont pilotés par une commande de grille de 18 V mais fonctionnent également bien sous 15 V. Ce composant a une technologie planaire qui fonctionne de manière fiable avec une commande négative de la tension de grille et des pics d'arrêt sur la grille. 

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Fiche technique
827En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Fiche technique
819En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
Fiche technique
36En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
Fiche technique
205En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC