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NVHL075N065SC1

Name: onsemi NVHL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL075N065SC1
Price: 10.82 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVHL075N065SC1

N° de fab. :

NVHL075N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

Fiche technique:

NVHL075N065SC1 Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	10,82 €	10,82 €
	6,99 €	69,90 €
	6,84 €	820,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	38 A
Rds On - Résistance drain-source:	85 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	61 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	74 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	9 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	Mosfets
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	26 ns
Série:	NVHL075N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	10 ns

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Fiche technique

NVHL075N065SC1 Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVHL075N065SC1

Les MOSFET au carbure de silicium (SIC) NVHL075N065SC1 Onsemi sont des composants haute performance dotés de caractéristiques exceptionnelles. Le NVHL075N065SC1 onsemi présente une R_DS(on) standard de 57 mΩ sous une tension grille-source (V_GS) de 18 V et de 75 mΩ sous 15 V. Le dispositif présente une charge de grille ultra-faible (Q_G(tot) = 61 nC) et d’une faible capacité de sortie (C_oss = 107 pF), assurant une commutation rapide et des pertes réduites de puissance.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.